Inspekcja półprzewodników to kluczowy etap w zapewnianiu wydajności i niezawodności w całym procesie produkcji układów scalonych. Jako detektory rdzeniowe, kamery naukowe odgrywają decydującą rolę – ich rozdzielczość, czułość, szybkość i niezawodność bezpośrednio wpływają na wykrywanie defektów w skali mikro- i nano, a także na stabilność systemów inspekcyjnych. Aby sprostać zróżnicowanym potrzebom aplikacyjnym, oferujemy kompleksowe portfolio kamer, od wielkoformatowego skanowania o dużej prędkości po zaawansowane rozwiązania TDI, szeroko stosowane w inspekcji defektów płytek półprzewodnikowych, testowaniu fotoluminescencji, metrologii płytek półprzewodnikowych oraz kontroli jakości opakowań.
Zakres widmowy: 180–1100 nm
Typowa QE: 63,9% przy 266 nm
Maksymalna szybkość transmisji: 1 MHz przy 8/10 bitach
TDI Stopień: 256
Interfejs danych: 100G / 40G CoF
Metoda chłodzenia: Powietrze/Ciecz
Zakres widmowy: 180–1100 nm
Typowa QE: 50% przy 266 nm
Maksymalna szybkość transmisji: 600 kHz przy 8/10 bitach
TDI Stopień: 256
Interfejs danych: QSFP+
Metoda chłodzenia: Powietrze/Ciecz
Zakres widmowy: 180–1100 nm
Typowa QE: 38% przy 266 nm
Maksymalna szybkość transmisji: 510 kHz przy 8 bitach
TDI Stopień: 256
Interfejs danych: CoaXPress 2.0
Metoda chłodzenia: Powietrze/Ciecz